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河裾 厚男; 石本 貴幸*; 前川 雅樹; 深谷 有喜; 林 和彦; 一宮 彪彦
Review of Scientific Instruments, 75(11), p.4585 - 4588, 2004/11
被引用回数：33 パーセンタイル：80.23(Instruments & Instrumentation)陽電子回折実験のための10keV陽電子ビームを同軸対称な電磁石を用いて開発した。ビーム輝度は、
10
e
/sec/cm
/rad/Vとなり、陽電子再放出に基づく輝度増強技術で得られるものに匹敵する性能である。ビーム進行方向と垂直方向の可干渉距離は、それぞれ100
と40であった。これらは、大きな単位胞を持つ表面超構造の観察にも十分な値である。実際、Si(111)-7
7表面からの超構造反射を従来よりも鮮明に観察できることが確認された。
7 surface河裾 厚男; 深谷 有喜; 林 和彦; 前川 雅樹; 石本 貴幸*; 岡田 漱平; 一宮 彪彦*
Materials Science Forum, 445-446, p.385 - 389, 2004/02
これまで、われわれは反射高速陽電子回折における全反射と一次ブラッグピークの存在を実証した。しかしながら、最構成表面に付随する分数次回折点の観測には至っていなかった。そこで、Si(111)77を用いて陽電子回折実験を行った。その結果、陽電子回折図形における1/7から3/7の分数次ラウエ帯の存在を発見した。さらに、鏡面反射点の入射視射角依存性(ロッキング曲線)を決定し、アドアトムによる陽電子の非弾性散乱に起因する構造を見いだした。従来の電子回折実験で決められている原子配置と吸収ポテンシャルを使用すると、実験結果が再現されないことから、これらのパラメータを変更する必要があることが判明した。
7 surface probed by reflection high-energy positron diffraction河裾 厚男; 深谷 有喜; 林 和彦; 前川 雅樹; 岡田 漱平; 一宮 彪彦
Physical Review B, 68(24), p.241313_1 - 241313_4, 2003/12
被引用回数：25 パーセンタイル：72.76(Materials Science, Multidisciplinary)本論文では、よく収束された20keVの陽電子ビームを用いたSi(111)-77再構成表面からの初めての陽電子回折の結果について報告する。1/7次から3/7次の陽電子回折パターンが明瞭に観測された。全反射ロッキング曲線を動力学回折理論によって解析したところ、表面付着原子(アドアトム)が積層欠陥層から約1.52の位置にあることが明らかになった。これは、従来の理論値よりも大きな値であり、アドアトムが真空側に大きく変位していることを示している。
河裾 厚男; 石本 貴幸*; 深谷 有喜; 林 和彦; 一宮 彪彦
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Internet), 1, p.152 - 157, 2003/12
反射高速陽電子回折は、新規的な表面解析プローブである。陽電子に対する結晶ポテンシャルは電子とは逆に正であり、ある臨界角度のところで入射陽電子は全反射する。陽電子エネルギーが10keV,結晶ポテンシャルが15Vとすると、この臨界角度は2
となる。これは精密な回折強度解析を行うのに十分大きな値である。また、入射陽電子のエバネッセント波の侵入長は310であるので、全反射を使うことでバルクの影響なく表面の研究を行うことができる。われわれは、よく絞られた単色の陽電子ビームを形成し、初期に行った水素終端Si(111)表面の定量解析から、さらに特筆すべき成果を挙げた。本講演では、反射高速陽電子回折を用いた全反射強度解析によるSi(111)-77と酸素吸着したSiC(0001)表面の研究について報告する。前者では全反射強度分布が表面付着原子(adatom)の垂直座標に極めて敏感であることが見いだされた。そして、電子回折や第一原理計算で決定されている値と比べるとadatomは、真空側に約0.10.2ずれていることが判明した。また、後者では酸素吸着長が1.9と決定され、これも電子回折や理論的予測値よりも大きくなることがわかった。また、熱処理により酸素が脱離すると全反射領域の吸収ピークが消失することがわかった。以上のように、理論・実験を通じて陽電子回折の有用性が実証された。
